Centre de Nanosciences
et de Nanotechnologies

Élaboration de Matériaux

 

Moyens de croissance

Les différentes techniques de croissance disponibles au C2N sont :

- l'MBE (molecular beam epitaxy) de III-V

- la MOVPE (metalorganic vapor phase epitaxy) de systèmes III-V et SiGeSn

- la UHV-CVD (ultra-high vacuum chemical vapor deposition) du système SiGe

- la CBE (chemical beam epitaxy) de III-V et d'alliages SiGe

- la PLIE (pulsed laser induced epitaxy) et le GILD (gas immersion laser doping) pour le Si supraconducteur

- la PLD (pulsed laser deposition) pour l'élaboration d'oxydes fonctionnels

- la CVD/PECVD AIXTRON (chemical vapour deposition) de graphène

Membres

Ali MADOURI
Tel : (+33) 1 69 63 60 69
ali.madouri@c2n.upsaclay.fr

Laurent TRAVERS
Tel : (+33) 1 69 63 60 65
laurent.travers@c2n.upsaclay.fr

Département Matériaux

Ce pôle d'expertise "Élaboration" fait partie du Département Matériaux

MBE

PLIE et GILD

MOVPE

PLD

UHV-CVD et CBE

CVD/PECVD AIXTRON