Centre de Nanosciences
et de Nanotechnologies

Élaboration de Matériaux

 

  Moyens de croissance

Les différentes techniques de croissance disponibles au C2N sont :

- l'MBE (molecular beam epitaxy) de III-V

- la MOVPE (metalorganic vapor phase epitaxy) de systèmes III-V et SiGeSn

- la UHV-CVD (ultra-high vacuum chemical vapor deposition) du système SiGe

- la CBE (chemical beam epitaxy) de III-V et d'alliages SiGe

- la PLIE (pulsed laser induced epitaxy) et le GILD (gas immersion laser doping) pour le Si supraconducteur

- la PLD (pulsed laser deposition) pour l'élaboration d'oxydes fonctionnels

- la CVD/PECVD AIXTRON (chemical vapour deposition) de graphène

  Membres

Grégoire BEAUDOIN
Tel : (+33) 1 69 63 62 45
gregoire.beaudoin@lpn.cnrs.fr

Antonella CAVANNA
Tel : (+33) 1 69 63 60 61
antonella.cavanna@lpn.cnrs.fr

Géraldine HALLAIS
Tel : (+33) 1 69 15 40 41
geraldine.hallais@u-psud.fr

Ali MADOURI
Tel : (+33) 1 69 63 60 69
ali.madouri@lpn.cnrs.fr

Laurent TRAVERS
Tel : (+33) 1 69 63 60 65
laurent.travers@lpn.cnrs.fr

 

 Département Matériaux

Ce pôle d'expertise "Elaboration" fait partie du Département Matériaux

  MBE

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MOVPE

MOCVD4.jpg

UHV-CVD et CBE

uhvcvd.png

PLIE et GILD

equipe-dop laser-Si supra.jpg

  PLD

PLD.png

CVD/PECVD AIXTRON

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