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SUMMARY:Croissance de nanofils SiGe en phase cristalline hexagonale sur 
 substrats orientés m-plane pour l’intégration de l’électronique et de la 
 photonique quantiques
DESCRIPTION:Hafssa Ameziane – Centre de Nanosciences et de 
 Nanotechnologies\n\nLes phases hexagonales des semi-conducteurs du groupe 
 IV présentent des propriétés électroniques et optiques remarquables\, 
 notamment l’apparition d’une bande interdite directe dans le germanium 2H 
 et une émis...
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