Effet du frittage des couches épitaxiées en germanium sur la dynamique des dislocations : De la théorie à l'observation expérimentale
Abstract Des couches épitaxiées de germanium de haute qualité sur du Si avec une faible densité de filage et de dislocation ont été obtenues par frittage de films Ge/Si poreux. Le processus consiste en la formation de nanostructures …
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