Développement de texturation de surface pour la croissance épitaxiale latérale de III-V/Si

Cette thèse porte sur la texturation de surface du silicium en vue de l’intégration localisée de GaAs sur silicium par la méthode de croissance ELTOn (Epitaxial Lateral Overgrowth on Tunnel Oxide from nano-seeds), qui vise à obtenir une épitaxie sans défaut tout en maintenant un couplage électrique à travers un oxyde tunnel ultrafin. Les travaux abordent trois verrous technologiques majeurs : le contrôle du dopage résiduel du GaAs, le développement de procédés de lithographie à faible coût et à grande surface pour la croissance localisée, et l’ouverture localisée d’oxydes tunnel ultrafins. L’ensemble de ces études participe au développement futur d’architectures photovoltaïques tandem GaAs/Si à haut rendement.

Membres du jury :

• Ludovic Desplanque (IEMN)
• Etienne Palleau (INSA Toulouse)
• Pere Roca i Cabarrocas (LPICM)
• Hind Kadiri (UTT)
• Guillaume Agnus (C2N)

Figures : De gauche à droite : (i) monocouche de nanobilles de polystyrène en réseau hexagonal sur Si, (ii) dépôt de 3 nm de Ge dans les interstices, (iii) après recuit, croissance localisée de GaAs sur Si.